每个 MOSFET 数据手册都包含一个 SOA 图，该图描述了 MOSFET 暴露于特定电压和电流的最长时间。图1显示了恩智浦半导体数据手册中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N沟道
2023-01-04 15:08
LTM4612两相并联12V/10A设计
2014-05-26 11:56
AO3404采用先进的沟槽技术，提供优秀的无线电数据系统（ON）和低门电荷。该装置可作为负载开关或在PWM应用中使用。标准产品AO3404是无铅的（符合RoHS和索尼259规范）。AO3404L是绿色产品订购选项。
2019-06-14 15:02
P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。本期，合科泰给大家介
2024-09-13 09:14
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMO
2023-11-15 09:30
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体
2022-09-13 14:38
本文从工业自动化领域的实际需求出发，深入浅出地分析了高性能AO技术应该具备的基本特点，并结合AD5755，提出了一种简单易行的解决方案。
2021-05-24 15:09
功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1所示。相对于传统的平面结构，超结结构将P型体区
2021-05-02 11:41
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进
2022-04-19 10:28
