,适合要求高效能和低导通电阻的功率控制电路设计。#### 产品参数- **型号**: 9T15J-VB- **封装**: TO251- **类型**: 单N沟道- *
2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术,设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力,适合在要求高功率密度和可靠性
2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET,采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性,适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造,能够
2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9T18J-VB MOSFET 产品简介9T18J-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 TO251 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压
2024-11-27 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介详述:AP9T15J-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,采用先进的槽沟技术(Trench)制造。该器件具有高电流承载能力和低导通电阻,适合于需要高功率密度和高效能
2024-12-27 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号