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型号：9<b class='flag-s-7'>T15J</b>-VB 品牌：微碧

，适合要求高效能和低导通电阻的功率控制电路设计。#### 产品参数- **型号**: 9T15J-VB- **封装**: TO251- **类型**: 单N沟道- *

2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：55057-006<b class='flag-s-7'>J</b> 品牌：

55057-006J型号简介       55057-006J是Southwest Microwave的连接器。该连接器外壳和中心接触片采用 BeCu 合金

2024-07-16 15:29 立年电子科技 企业号

型号：SMA6<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：SMA6J5.0A、SMA6J6.0A、SMA6J6.5A、SMA6J7.0A、SMA6J7.5A、SMA6

2022-07-26 10:23 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：SMB10<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

封装形式：SMB10J5.0A、SMB10J6.0A、SMB10J6.5A、SMB10J7.0A、SMB10J7.5A、

2022-07-26 11:03 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>J</b>7211A 品牌：

 Agilent安捷伦/是德J7211A衰减控制单元，6 GHz,121 dB,1 dB步进J7211A衰减控制单元DC至6 GHz，DC至18 GHz，DC

2023-09-02 17:02 诚兴仪器 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>J</b>7211A 品牌：

  Agilent安捷伦J7211A衰减控制单元，6 GHz,121 dB,1 dB步进J7211A是安捷伦的衰减控制单元，具有衰减扫描功能，非常适

2023-08-11 16:00 诚兴仪器 企业号

型号：AP9<b class='flag-s-7'>T18J</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力，适合在要求高功率密度和可靠性

2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9<b class='flag-s-7'>T16J</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET，采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性，适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造，能够

2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9<b class='flag-s-7'>T18J</b>-VB 品牌：微碧

### 9T18J-VB MOSFET 产品简介9T18J-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO251 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压

2024-11-27 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9<b class='flag-s-7'>T15J</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介详述：AP9T15J-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用先进的槽沟技术（Trench）制造。该器件具有高电流承载能力和低导通电阻，适合于需要高功率密度和高效能

2024-12-27 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号