该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该
2023-07-18 17:13 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该
2023-07-18 17:08 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该
2023-11-27 16:41 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
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2023-11-27 16:37 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
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2025-02-14 07:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
