基本拓扑电路上一般没有吸收缓冲电路，实际电路上一般有吸收缓冲电路，吸收与缓冲是工程需要，不是拓扑需要。吸收与缓冲的功效：● 防止器件损坏，
2021-10-29 07:15
电源损耗一般集中在以下一些方面：1.MOS管的开通损耗及导通损耗。2.变压器的铜损和铁损；3.副边整流管的损耗；4.桥式整流的损
2018-09-18 09:13
时，选择低导通压降和反向恢复时间短的二极管，可以降低损耗。 五、吸收电路的损耗 开关MOS管DS极之间通常会加一个小电容如图2左，用来吸收管子上的电压尖峰，MOS管
2023-03-20 16:59
工作区，从而提高可靠性； ●降低（开关）器件损耗，或者实现某种程度的关软开； ●降低di/dt和dv/dt，降低振铃，改善EMI品质。也就是说，防止器件损坏只是吸收与缓冲的功效之一，其他功效也是很有
2024-07-01 10:22
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的
2019-09-25 07:00
损耗包括：导通损耗，开关损耗，驱动损耗。其中在待机状态下最大的损耗就是开关损耗
2021-05-18 06:00
：降低开关频率、使用变频芯片甚至跳频芯片（在空载或很轻负载的情况下芯片进入间歇式振荡）09、整流管上的吸收损耗输出整流管上的结电容与整流管的吸收电容在开关状态下引起的尖峰电流反射到原边回路
2021-04-09 14:18
提高可靠性降低（开关）器件损耗，或者实现某种程度的关软开降低di/dt和dv/dt，降低振铃，改善EMI品质提高效率（提高效率是可能的，但弄不好也可能降低效率）也就是说，防止器件损坏只是吸收与缓冲
2018-12-28 11:09
提高可靠性降低(开关)器件损耗，或者实现某种程度的关软开降低di/dt和dv/dt，降低振铃，改善EMI品质提高效率(提高效率是可能的，但弄不好也可能降低效率)也就是说，防止器件损坏只是吸收与缓冲的功效
2019-11-02 07:00
特性等等。而且其中某些因素是很难获得准确的设计参数的。比如对二极管反压的吸收，即使其他情况完全相同，使用不同的二极管型号需要的RC吸收参数就可能有很大差距。很难推导出一个通用的计算公式出来。R 的损耗
2018-12-26 10:16
