### 产品简介BUK661R8-30C-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装。这款 MOSFET 基于先进的沟槽技术，具备极低的导通电阻和超高的电流处理能力，非常适合在高功率、高效率的应用中使用。其优异的性能和高电流能力使其成为许多高功率电子电路中的理想选择。### 详细参数说明- **型号**: BUK661R8-30C-
2025-01-15 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### BUK661R6-30C-VB 产品简介**产品名称**: BUK661R6-30C-VB**封装**: TO-263**配置**: 单极N沟MOSFETBUK661R6-30C-VB是一款高性能N沟MOSFET，设计用于需要高电流处理和低导通电阻的应用。该MOSFET采用TO-263封装，利用先进的Trench技术，提供卓越的导通电阻和电流处理能力
2025-01-15 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、BUK6610-75C-VB 产品简介BUK6610-75C-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-263。这款 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，具有 80V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。在 4.5V 的栅源电压下，其导通
2025-01-15 17:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、BUK654R6-55C-VB 产品简介BUK654R6-55C-VB 是 NXP Semiconductors 生产的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220 封装。这款 MOSFET 基于先进的 Trench 技术设计，具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。在 10V 的栅源电压下，
2025-01-15 16:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### BUK653R7-30C-VB 产品简介BUK653R7-30C-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于高电流和低电阻应用。这款MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），利用先进的沟槽（Trench）技术，提供极低的导通电阻和优越的电流处理能力。在VGS为4.5V时的导通电阻为4mΩ，在VGS
2025-01-15 16:47 微碧半导体VBsemi 企业号
## BUK653R2-55C-VB MOSFET 产品简介**BUK653R2-55C-VB** 是一款高功率、高效率的单极 N 通道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 TO220。此 MOSFET 设计用于处理高电流和高功率应用，提供优异的开关性能和低导通电阻。其高电流承载能力使其特别适合用于要求严格的电源管理和功率转换系统。## 详细
2025-01-15 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BUK652R3-40C-VB** 是一款采用 Trench 技术的单极 N 通道 MOSFET，封装形式为 TO220。它具备高电流承载能力和低导通电阻，专为高功率开关应用设计。这款 MOSFET 在高频率和高电流应用中表现优异，是高效电源管理和电力转换系统中的理想选择。### 详细参数说明- **封装**：TO220- **配置**：
2025-01-13 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
## BUK581-100A-VB MOSFET 产品简介BUK581-100A-VB 是一款高效能、单 N 沟道 MOSFET，适用于中等功率应用，具有优异的开关特性。该 MOSFET 采用紧凑的 SOT223 封装，适合空间受限的环境，同时提供可靠的性能和稳定性。## 详细参数说明- **封装**: SOT223- **配置**: 单 N 沟道- **漏
2025-01-13 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### BUK551-100B-VB 产品简介**BUK551-100B-VB** 是一款单级N沟道MOSFET，采用TO-220封装，专为高电压和大电流应用设计。它采用先进的Trench技术，提供卓越的开关性能和低导通电阻。适用于需要高效、高电压处理的应用，如电源管理、马达驱动和功率转换器。### 详细参数说明- **封装类型**：TO-220- **配置
2025-01-13 15:17 微碧半导体VBsemi 企业号
