全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模
2023-02-24 11:51
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43
理解功率MOSFET的开关损耗 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30
在功率器件的世界里，开关损耗是一个绕不开的关键话题。
2025-05-07 13:55
一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量
2019-06-27 10:22
1、CCM 模式开关损耗 CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28
电源开关损耗是电子电路中一个重要的性能指标，它反映了开关器件在开关过程中产生的能量损失。准确测量电源开关损耗对于优化电路
2024-05-27 16:03
一个高质量的开关电源效率高达95％，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量
2019-06-26 15:49
，热损耗极低。 开关设备极大程度上决定了SMPS的整体性能。开关器件的损耗可以说是
2021-11-23 15:07
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管）的开关损耗是电子工程中一个关键的性能参数，它直接影响到电路的效率、热设计和可靠性。下面将详细阐述MOSFET开关损耗的
2024-09-14 16:11
