器件的大规模集成化、大功率小型化、高效率低损耗、超高频的发展而引发的电路发热也迅速提高，电子封装对基板材料的要求有：热导率高、介电常数低、与芯片材料的热膨胀系数相匹配、
2023-06-09 15:49
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件
2018-07-15 11:05
各电子元器件损坏后有哪些表现？
2018-03-05 10:35
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层
2024-01-09 18:06
等效电磁参数，使得设计结构的阻抗与自由空间相匹配，理论上可以实现完美吸收。超材料吸波器包括超窄带、双波段、多波段、宽带等多种类型的吸波器。其中多波段的超
2023-10-17 15:04
如今，我们已经无法想象没有电的生活了。我们生活的各个方面越来越依赖于电力。而在电力的生产、分发和使用过程中，功率转换起着至关重要的作用。
2023-08-10 09:42
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC功率晶体管的分析，描述了这些技术的现状，
2025-05-15 15:28
引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件的可行替代品。正如预期的优越
2018-03-20 11:43
