2023-07-06 10:53
引言 在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等，成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生长过程中，衬底应力问题一直是
2025-02-08 09:45 广州万智光学技术有限公司 企业号
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延
2023-05-31 09:27
“德国制造”已经成为“中国制造”的重要参照物。中国制造业的崛起，必须研究和引进“德国制造”背后的文化因素，并克服近现代国民性的负面因素，开展一个
2016-02-23 14:45
作为半导体单晶材料制成的晶圆片，它既可以直接进入晶圆制造流程，用于生产半导体器件；也可通过外延工艺加工，产出外延片。
2024-04-24 12:26
基于市场、环境、安全等各方面的因素，智能电网具有8个特点：自愈、兼容、交互、协调、高效、优质、集成、绿色。其中自愈是指在电力供应方面，智能电网能够不断发现存在或潜在的问题，然后纠正或控制，最终保证供电质量，可靠、安全、高效，是较为突出的特征。
2018-05-04 15:05
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43
外延工艺的介绍，单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。
2023-11-30 18:18
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一种在超高真空状态下，进行材料外延技术，下图为分子束外延的核心组成，包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。
2024-01-15 18:12
一、引言 在半导体制造业中，外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积（CVD）作为一种主流的外延生长方法，被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD
2025-01-08 15:49 广州万智光学技术有限公司 企业号
