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  • 大数据的内涵外延

             

    2023-07-06 10:53

  • 应力消除外延生长装置及外延生长方法

    引言 在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等,成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而,在大尺寸SiC外延生长过程中,衬底应力问题一直是

    2025-02-08 09:45 广州万智光学技术有限公司 企业号

  • SiC外延工艺基本介绍

    外延层是在晶圆的基础上,经过外延工艺生长出特定单晶薄膜,衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延

    2023-05-31 09:27

  • “德国制造”的六大内涵

    “德国制造”已经成为“中国制造”的重要参照物。中国制造业的崛起,必须研究和引进“德国制造”背后的文化因素,并克服近现代国民性的负面因素,开展一个

    2016-02-23 14:45

  • 半导体衬底和外延的区别分析

    作为半导体单晶材料制成的晶圆片,它既可以直接进入晶圆制造流程,用于生产半导体器件;也可通过外延工艺加工,产出外延片。

    2024-04-24 12:26

  • 智能电网的内涵与特征

    基于市场、环境、安全等各方面的因素,智能电网具有8个特点:自愈、兼容、交互、协调、高效、优质、集成、绿色。其中自愈是指在电力供应方面,智能电网能够不断发现存在或潜在的问题,然后纠正或控制,最终保证供电质量,可靠、安全、高效,是较为突出的特征。

    2018-05-04 15:05

  • SiC外延片制备技术解析

    碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。

    2023-08-15 14:43

  • 什么是外延工艺?什么是单晶与多晶?哪些地方会涉及到外延工艺?

    外延工艺的介绍,单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。

    2023-11-30 18:18

  • 分子束外延(MBE)工艺及设备原理介绍

    分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)是一种在超高真空状态下,进行材料外延技术,下图为分子束外延的核心组成,包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。

    2024-01-15 18:12

  • 用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构

    一、引言 在半导体制造业中,外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积(CVD)作为一种主流的外延生长方法,被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD

    2025-01-08 15:49 广州万智光学技术有限公司 企业号