的10倍增长，“闪存存储技术，如LSI的Nytro应用加速产品组合，可以用来加速关键业务应用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在Windows Server 8中提供的增强，这些技术的重要性将继续增长。
2017-12-18 09:31
图3-4是闪存芯片里面存储单元的阈值电压分布函数，横轴是阈值电压，纵轴是存储单元数量。其实在0或1的时候，并非所有的存储单元都是同样的阈值电压，而是以这个电压为中心的一个分布。读的时候采样电压值，落在1范围里面，就认为是1；落在0范围里面，就认为是是0。
2018-11-13 15:44
从2004年开始，我写过几次小型IC设计中心的IT环境。比较多的论述了创业类型的芯片设计公司，应该怎么去设计自己的IT环境。这10多年间，有不少初创型的公司来咨询过如何更好的规划IT系统，我都尽力协助解决。
2019-03-16 09:34
储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。
2019-09-13 09:11
QLC即Quad-Level Cell架构，每个闪存单元内可储存4个比特数据，相比TLC闪存的存储密度提升33%。为了表达4比特数据，一个QLC闪存单元拥有多达16种电压状态，对
2019-04-09 09:56
由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32
同样值得注意的是闪存有几种不同的类型。最常见的两种是NOR闪存和NAND闪存。
2019-12-05 11:54
近年来国内IC设计产业产值逐步追上台湾地区，台系IC设计业者面对人工智能(AI)世代需要投入更多资源升级芯片，却显得相形见绌，反而成为压垮台湾地区IC设计产业产值成长动能的最后一根稻草。
2018-11-19 15:33
在这篇文章中，我们将对闪存进行分析。我的实验目标是一台别人“捐赠”过来的Netcomm N300路由器，在进行了深入研究之后，我可以通过修改设备闪存的读入操作并从未认证的Web接口获取目标Web服务器的内存数据。
2018-05-09 15:24
Cell单层单元和Multi-Level Cell多层单元。早在去年三星840evo固态硬盘就采用了TLC芯片，后来被发现存在老数据读取速度下降的问题，三星坚称，问题源于闪存管理算法失误，并不是TLC闪存颗粒的毛病
2018-06-28 09:19
