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刻蚀气体在等离子体中分解电离，形成离子和自由基等刻蚀类物质，称为Enchant → Enchant到达晶圆表面的过程。
2024-03-27 16:11
等离子体辅助刻蚀的基础简单；使用气体辉光放电来离解和离子化相对稳定的分子，形成化学反应性和离子性物质，并选择化学物质，使
2022-02-14 15:22
反应离子刻蚀以及ICP的应用。 1干法蚀刻概述 干法蚀刻的重要性 精确控制线宽：当器件尺寸进入亚微米级（ 化学稳定性挑战：SiC的化学稳定性极高（Si-C键合强度大），使得湿法蚀刻变得困难。湿法蚀刻通常需要在高温或特定条件下进行，
2025-01-22 10:59
GaN和InGaN基化合物半导体和其他III族氮化物已经成功地用于实现蓝-绿光发光二极管和蓝光激光二极管。由于它们优异的化学和热稳定性，在没有其它辅助的情况下，在GaN和InGaN基材料上的湿法蚀刻是困难的，并且导致低的蚀刻速率和各向同性的蚀刻轮廓。
2023-12-05 14:00
关键词:反应离子刻蚀，加载和滞后效应，微掩膜，氮化镓，GaAs，磷化铟，纳米光子学 摘要 本文将描述反应离子刻蚀技术的一般方面，如各向异性、负载效应、滞后效应、反应离子刻蚀化学和微掩模，然后简要概述
2022-02-07 14:39
在 MEMS 制造工艺中，常用的干法刻蚀包括反应离子刻蚀 （Reactive lon Etching， RIE）、深反应离子刻蚀（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性
2022-10-10 10:12
半导体失效分析项目介绍，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。
2020-11-26 13:58
深度反应离子刻蚀或DRIE是一种相对较新的制造技术，已被MEMS社区广泛采用。
2020-03-14 11:04
目前制作硅通孔的主要手段有湿法刻蚀,激光加工和干法刻蚀(深反应离子刻蚀, DRIE )三种。
2022-12-07 11:26
主要介绍几种常用于工业制备的刻蚀技术，其中包括离子束刻蚀（IBE）、反应离子刻蚀（RIE）、以及后来基于高密度等离子体
2024-10-18 15:20
