，二极管P-N结积累电荷。当反向电压加到二极管两端时，释放储存的电荷，回到阻断状态。释放储存电荷时会出现以下两种现象：流过一个大的反向电流和重构。在该过程中，大的
2019-09-17 09:05
如果二极管没有电流流过，二极管两端有压降吗？如果有压降，测量前和测量后有差别吗？
2021-10-08 09:41
问一个基础问题 在用Arduino做一个量程为5V的电压计时，直接读取对应引脚的值乘上5/1023就行了，这里的引脚明显是电压值 那么是否有电流流到Arduino里面呢？在数字引脚中的\'HIGH
2019-11-01 05:40
和热量造成的失效。什么是dV/dt失效本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是单位
2022-07-26 18:06
你好，请问使用lm2904设计电压跟随电路，在设计PCB板时没有注意到，使得供电电压的地与运放输出信号的地，在大电流流过地线的时候存在几十mv的电势差，不知道这是怎么回事？当我把lm2904换为同封装形式的OPA2172又不存在这样的情况了
2024-08-23 07:30
与GND直流阻抗为（正反向）19.58R 请问ADI的技术人员提供一个分析的方向；或者：当VIN_H骤降时，是否会有一个径反向的电流流过Q5，导致Q5内部的寄生二极管因为瞬间大
2024-01-05 07:30
它不需要电荷泵，p通道MOSFET一直用于高电流应用。然而，p通道MOSFET的Rds(on) 在低输入电压时变得过高，并且它不能防止反向
2018-09-04 14:59
MOSFET输入电容，Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前，漏极没有电流流过，时间t1为： VGS电压从VTH增加到米勒平台电压VGP的时间t2为： VGS处于
2025-02-26 14:41
电流相位不对，MOSFET都存硬开关，所谓硬开关就是，当MOSFET开通时，电流没有反向
2016-12-12 15:26
在使用电子元器件时，你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置
2018-09-04 09:54
