NP4836高VGS耐压，双N沟道，独立双NMOS，采用SOP8封装，TDM3478，FP6606C，FP6606AC，FP6601Q，FP6601AA一级代理商，源头货源，可靠，优势，可未税/含税，支持小批量量产，
2022-05-07 16:23 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道
2022-06-28 11:01
NAXIANGTECHNOLOGY纳祥科技NX701030V20A双N沟道MOSFET30V20A双N沟道MOSFET纳祥科技NX7010是一款30V20A
2025-03-21 15:33 深圳市纳祥科技有限公司 企业号
在智能家电与电动工具快速迭代的今天，高效能与小型化已成为产品设计的核心需求。MOSFET作为现代电子系统的核心功率开关器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域。其性能直接影响系统的效率、功耗和可靠性。随着便携式设备、智能家居和工业自动化对功率密度和能效的要求越来越高，工程师需要更高性能的MOSFET解决方案。
2025-04-14 10:49
特性 - 双N沟道逻辑电平（增强模式） - 通过AEC Q101认证 - MSL1峰值回流温度高达260°C - 175°C工作温度 - 环保产品（符合RoHS规范） - 100%通过雪崩测试 优势
2024-08-13 10:14
概述 AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810和AO8810L的电性相同。-符合RoHS标准-AO8810L不含卤素 特征 VDS (V) = 20V ID = 7 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ESD Rating: 2000V HBM 审核编辑 黄宇
2024-03-22 10:54
NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型产品的应用。在性能上，NX7011可以PINTOPIN兼容替代AP20G02BDF。NX7011
2025-03-26 15:33 深圳市纳祥科技有限公司 企业号
本应用笔记介绍了采用表面贴装封装的 n 通道双 MOSFET 的低压电机驱动设计。它描述了使用不同电压应用的设计，以及自适应 MOSFET 栅极驱动器，这是驱动双 n
2023-10-05 15:20
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。这款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源极到源导通电阻，可最大限度地减少损耗，并为空间受限的应用提供低元件数量。
2025-04-16 09:55
Vishay推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54
