电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道
2022-06-28 11:01
Analog Devices Inc. LTC7065半桥双N沟道MOSFET驱动器是一款栅极驱动器，在高达100V的输入电压下工作，具有独立于电源的三态PWM输入逻辑
2025-06-06 16:00
在智能家电与电动工具快速迭代的今天，高效能与小型化已成为产品设计的核心需求。MOSFET作为现代电子系统的核心功率开关器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域。其性能直接影响系统的效率
2025-04-14 10:49
NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型产品的应用。在性能上，NX7011可以PINTOPIN兼容替代AP20G02BDF。NX7011
2025-03-26 15:33 深圳市纳祥科技有限公司 企业号
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款 MOSFET：业内最低内阻双 N 沟道
2022-06-28 11:26
近日，纳芯微正式推出了CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET——NPM12023A系列产品。这款新品以其优异的短路过流能力与雪崩过压能力，以及更强的机械压力耐受能力
2024-10-17 15:59
采用双 N 沟道 MOSFET 功率开关，用于配电系统。此设备 提供完整的配电解决方案，其中精密电流限制和快速保护 response 是必需的。
2025-06-25 14:19
AOS的 MRigidCSP 技术专为电池管理应用而定制。这项创新技术旨在降低导通电阻，同时增强机械强度。AOS 初提供 MRigidCSP 及其 AOCR33105E，这是一款 12V 共漏极双 N 沟道
2023-10-04 16:01
管理应用的 MRigidCSP™ 封装技术。AOS首颗应用该新型封装技术的12V 共漏极双 N 沟道 MOSFET——AOCR33105E，实现在降低导通电阻的同时提高
2023-11-13 18:11
