LTC1693：高速单/双N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-05-19 16:35
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道
2022-06-28 11:01
概述：FDW2501N采用TSSOP-8封装，N沟20V6ARDS(ON)=0.018Ω@VGS=4.5VRDS(ON)=0.028Ω@VGS=2.5V1W 主要用于负载开关、电机驱动、DC-DC变换及电源管理。
2021-04-14 07:41
在智能家电与电动工具快速迭代的今天，高效能与小型化已成为产品设计的核心需求。MOSFET作为现代电子系统的核心功率开关器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域。其性能直接影响系统的效率
2025-04-14 10:49
移动电源常用的双NMOS，低导通内阻。 VDS=20VVGS=±12V; Rds(on)=0.023Ω at VGS = 2.5VId=5.5A; Rds(on)=0.018Ω at VGS = 4.5VId=6.6A;
2021-12-27 11:28
NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型产品的应用。在性能上，NX7011可以PINTOPIN兼容替代AP20G02BDF。NX7011
2025-03-26 15:33 深圳市纳祥科技有限公司 企业号
AON6884，规格书， 设计方案，使用方法，AOS/万代，40V双N沟道MOSFET 一般说明,AON6884采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供优异的RDS
2023-10-24 15:03 深圳市金和信科技有限公司 企业号
