在双MOS管Buck电路中，有两个MOSFET管，并且它们直接与电源和负载相连。具体而言，其中一个MOSFET管与电源相
2023-08-26 10:02
，让我们了解一下IGBT和MOS管的结构。IGBT和MOS管都是由PNPN结构组成，但它们的控制结构不同。IGBT的控制结构由一个
2023-12-07 17:19
是MOS管的封装形式及选择的介绍： 一、MOS管的封装形式 按照安装在PCB板上的方式来划分，
2024-11-05 14:45
MOS管，全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体-半导体，是一种常见的半导体器件。根据其工作电压的不同，MOS
2023-10-16 17:21
MOS管是由源极、漏极、门极和金属氧化物层组成，其中金属氧化物层是MOS管的核心部分，它由一层金属和一层氧化物组成，金属层和氧化物层之间有一个很小的空隙，这个空隙可
2023-02-17 14:51
MOS管是金属 (metal) 氧化物 (oxide) 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 绝缘体 (insulator) 半导体。MOS
2020-10-13 11:56
。 首先，让我们了解一下这两种器件的简单工作原理。MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，由金属栅、氧化物绝缘层和半导体基底构成。通过在金属栅上施加电压来控制半导体中的电流。而IGBT，即绝缘栅
2023-12-19 09:25
Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是电力电子领域中两种重要的功率开关器件，它们在结构、工作原理、性能特点以及应用场合等方面都存在显著的差异。以下是对MOS管和
2024-07-26 18:07
双栅MOS场效应管高频放大器
2008-12-15 17:38
双栅MOS场效应管混频器电路图
2008-12-15 17:39
