，另一个与积极联系起来？增强型（“常关”） 当栅极上相对于源极有足够高的正电压（逻辑电平 MOSFET 通常为 3 至 5 伏）时，N 沟道
2023-02-02 16:26
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施
2021-04-09 09:20
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是
2018-03-03 13:58
MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大
2016-09-06 12:51
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21
100V音频输入优先级输出电路100V音频输入，它是优先级比其他的音频输入（麦克风）要高，这个有解决方案吗？就是当100V音频输入和麦克风同时插入，音频输出是输出100V
2019-11-15 18:29
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60
2019-07-09 17:30
DC2417A-B，用于LTC4367IMS8-1的演示板，具有0.5ms故障恢复的UV，OV和反向电源保护。演示电路旨在演示LTC4367 100V过压（OV），欠压（UV）和反向电源保护控制器
2019-02-19 09:30
DC2417A-A，用于LTC4367IMS8的演示板，具有32ms故障恢复的UV，OV和反向电源保护。演示电路旨在演示LTC4367 100V过压（OV），欠压（UV）和反向电源保护控制器的性能
2019-02-21 09:48
、大功率 MOSFET 开关管，外围元器件简单，系统应用灵活，转换效率最高可达 98%以上，输入电压可兼容到 100V以上，系统体积小，内置过温保护，开路保护，过流保护，短路保护，输入过压保护等全套可靠性
2015-12-18 11:48
