KOH 溶液的碱浓度无关 ◦C。仅在碱性浓度越低，蚀刻速率越低。添加异丙醇会略微降低绝对蚀刻速率。在标准 KOH 溶液中蚀刻反应的活化能为 0.61 ± 0.03 e
2022-03-04 15:07
引言 氢氧化钾(KOH)和添加剂2-丙醇(异丙醇，IPA)通常用于单晶硅片的碱性织构化，以减少其反射。氢氧化钾和异丙醇在水中的蚀刻混合物需要明确定义氢氧化钾和异丙醇的水平，以消除锯损伤，并获得完全
2022-01-04 17:13
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09
蚀刻机的基础原理一、蚀刻的目的蚀刻的目的即是将前工序所做出有图形的线路板上的未受保护的非导体部分铜蚀刻去，形成线路。
2020-12-24 12:59
本文首先介绍了蚀刻机的分类及用途，其次阐述了蚀刻机的配件清单，最后介绍了蚀刻机
2018-04-10 14:38
一、蚀刻的目的 蚀刻的目的即是将前工序所做出有图形的线路板上的未受保护的非导体部分铜蚀刻去，形成线路。 蚀刻有内层蚀刻和
2020-12-11 11:40
PCB蚀刻技术通常所指蚀刻也称光化学蚀刻，指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶
2017-04-21 17:08
刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼，常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中，这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。
2023-07-28 15:16
这两种蚀刻液被广为使用的原因之一是其再生能力很强。通过再生反应，可以提高蚀刻铜的能力，同时，还能保持恒定的蚀刻速度。在批量PCB生产中，既要保持稳定的蚀刻速度，还要确保
2022-08-17 15:11
本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有
2022-03-16 13:08
