13um应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究台面制作工艺对１?３μｍ应变补偿多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面
2009-10-06 09:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑 双极型制作工艺
2012-08-20 07:51
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55
什么是闩锁效应？闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一
2012-08-01 11:04
。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。沉积：各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此，主要使用两种工艺，物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。制作步骤：1.从空白晶圆开始2.自下而上构建
2021-07-08 13:13
本文选择了SoC芯片广泛使用的深亚微米CMOS工艺，实现了一个10位的高速DAC。该DAC可作为SoC设计中的IP硬核，在多种不同应用领域的系统设计中实现复用。
2021-04-14 06:22
BiCMOS集成电路，它综合了双极和MOS集成电路的优点，普通双极型门电路的长处正在逐渐消失，一些曾经占主导地位的TTL系列产品正在逐渐退出市场。CMOS门电路不断改进工艺
2019-03-02 06:00
新型的SOI（绝缘衬底硅）工艺、SOA（任意衬底硅）工艺；另外，目前大多数做DAC（数模转换器）的公司是利用BiCMOS（Bipolar-CMOS，双极和
2018-11-26 16:45
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三
2021-07-06 09:32
ISL5927是一个双14位，260+MSPS（兆采样每秒），CMOS，高速，低功耗，D/A（数字到模拟）转换器，专门设计用于高性能通信系统，如base使用2.5G或3
2020-10-10 17:27
