随着集成电路技术的不断发展，高性能运算放大器广泛应用于高速模/数转换器（ADC）、数/模转换器（DAC）、开关电容滤波器、带隙电压基准源和精密比较器等各种电路系统中，成为模拟集成电路和混合信号集成电路设计的核心单元电路，其性能直接影响电路及系统的整体性能，高性能运算放大器的设计一直是模拟集成电路设计研究的热点之一，以折衷满足各种应用领域的需要。
2020-07-24 11:32
本文介绍了一种折迭共源共栅的运算放大器，采用TSMC0.18混合信号双阱CMOS工艺库，用HSpiceW-2005.03进行设计仿真，最后
2021-04-16 09:39
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成
2024-11-04 15:31
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p
2022-11-14 09:32
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
。设计采用CSMC0.5 μm 双阱CMOS工艺进行仿真模拟，这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7 μA，输出暂态电压最大变化为9 mV.
2013-08-12 11:01
OCE28F256X采用双阱CMOS工艺实现。组合OCE28F256X的抗辐射性、快速存取时间和低功耗使其成为高专为在辐射环境中运行而设计的速度系统。
2022-06-08 11:20
CMOS工艺流程介绍，带图片。 n阱的形成 1. 外延生长
2022-07-01 11:23
的。 这种灵活性允许在 CMOS 工艺中发展高性能无缓冲运算放大器。 目前, 这样的放大器已被广泛用于无线电通信的集成电路中。 介绍了一种折叠共源 共栅的运算放大器, 采用 TSMC 0. 18 混合信号双
2022-07-08 16:32
