CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成
2024-11-04 15:31
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p
2022-11-14 09:32
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
可植入、可消化、可互动、可互操作以及支持因特网，这些医疗设备现在及未来独特的需求都要求合适的IC工艺技术与封装。本文将对医疗半导体器件采用的双极性（bipolar）与CMOS工
2012-07-16 17:54
精密电流阱电路图
2009-04-02 15:21
Bi-CMOS工艺将双极型器件（Bipolar）与CMOS工艺结合，旨在融合两者的优势。
2025-03-21 14:21
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高
2024-03-18 09:47
倒掺杂阱（Inverted Doping Well）技术作为一种现代半导体芯片制造中精密的掺杂方法，本文详细介绍了倒掺杂阱工艺的特点与优势。 在现代半导体芯片制造中，倒掺杂阱
2025-01-03 14:01
