CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p阱和N阱，如图
2022-11-14 09:32
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
PCB离子阱质量分析器采用线形离子阱结构，其电极使用PCB加工而成，其截面被设计成矩形。采用这种设计的原因在于：其一，线性离子阱具有比传统三维离子阱更
2010-09-20 02:54
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
精密电流阱电路图
2009-04-02 15:21
图 1：示意图显示了三种不同相机的示例，它们具有不同的像素大小和不同的满阱容量。这些相机表明，全阱容量随着像素尺寸的增加而增加。在此示例中，尺寸增加超过 1.5 倍会导致像素内存储的电子增加 3.8
2024-04-22 07:01
量子阱激光器是有源层非常薄，而产生量子尺寸效应的异质结半导体激光器。根据有源区内阱的数目可分为单量子阱和多量子阱激光器。量子阱
2019-12-16 11:11
可植入、可消化、可互动、可互操作以及支持因特网，这些医疗设备现在及未来独特的需求都要求合适的IC工艺技术与封装。本文将对医疗半导体器件采用的双极性（bipolar）与CMOS工艺进
2012-07-16 17:54
