CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
在芯片的硅基世界中，硼离子注入（Boron Implant） 如同纳米级的外科手术——通过精准控制高能硼原子打入晶圆特定区域，构建出晶体管性能的“地基”。而其中颠覆传统的逆向阱（Retrograde Well） 技术，更是将芯片的能效与速度推向新高度。
2025-06-13 11:43
量子阱红外探测器基于子带跃迁的工作原理，探测器吸收红外辐射后激发量子阱中的电子，使其从基态跃迁到连续态中，从而实现红外探测。
2023-12-18 10:42
深度学习中的双下降现象，可能大家也遇到过，但是没有深究，OpenAI这里给出了他们的解答。
2020-01-29 17:16
利用CMOS设计电路需先自行学习NMOS和PMOS的基本原理。
2023-04-11 09:01
1.QWHE传感器可用于制造出色的电流隔离器。（QHHE是量子阱霍尔效应传感器）QWHE 隔离器具有更低的噪声和寄生电容、更宽的温度和频率工作条件、更高的线性度、更高的灵敏度和紧凑的尺寸（传感器尺寸为 210 μm × 210 μm)。
2022-06-02 17:23
尽管双极性技术依然盛行，但新型 CMOS 放大器正在以先进的设计技巧、高级的微调方法以及提高的良率逐渐打破工艺局限性。
2022-01-28 09:28
1、CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路） 2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3、CMOS
2017-12-19 12:38
