CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
利用Lewis-Riesenfeld不变量理论和与不变量有关的幺正变换方法,研究了双阱结构含时量子输运的微扰论3 获得了双阱内含时薛定谔方程的精确解的完备集，在此基础上
2008-11-27 13:04
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p阱和N阱，如图
2022-11-14 09:32
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
PCB离子阱质量分析器采用线形离子阱结构，其电极使用PCB加工而成，其截面被设计成矩形。采用这种设计的原因在于：其一，线性离子阱具有比传统三维离子阱更
2010-09-20 02:54
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 13:13 编辑 模拟CMOS IC学习总结,个人总结。。。
2013-11-02 15:00
精密电流阱电路图
2009-04-02 15:21
CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻 ，防止闩锁效应。
2020-10-12 08:00
