CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p阱和N阱，如图
2022-11-14 09:32
本文将对双极性器件与CMOS器件进行比较，帮助用户判断每款器件的适用之处。文中将以高性能超声波设备为例，探讨如何平衡噪声
2011-12-29 11:34
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
PCB离子阱质量分析器采用线形离子阱结构，其电极使用PCB加工而成，其截面被设计成矩形。采用这种设计的原因在于：其一，线性离子阱具有比传统三维离子阱更
2010-09-20 02:54
量子阱红外探测器基于子带跃迁的工作原理，探测器吸收红外辐射后激发量子阱中的电子，使其从基态跃迁到连续态中，从而实现红外探测。
2023-12-18 10:42
可植入、可消化、可互动、可互操作以及支持因特网，这些医疗设备现在及未来独特的需求都要求合适的IC工艺技术与封装。本文将对医疗半导体器件采用的双极性（bipolar）与CMOS工艺进
2012-07-16 17:54
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
精密电流阱电路图
2009-04-02 15:21
