CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
量子阱红外探测器基于子带跃迁的工作原理，探测器吸收红外辐射后激发量子阱中的电子，使其从基态跃迁到连续态中，从而实现红外探测。
2023-12-18 10:42
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
CMOS器件的输入信号上升时间或下降时间统称为输入转换时间，输入转换时间过长也称为慢CMOS输入。如果输入信号上升时间过长，超过器件手册允许的最大输入转换时间，则有可能
2023-10-31 10:39
在芯片的硅基世界中，硼离子注入（Boron Implant） 如同纳米级的外科手术——通过精准控制高能硼原子打入晶圆特定区域，构建出晶体管性能的“地基”。而其中颠覆传统的逆向阱（Retrograde Well） 技术，更是将芯片的能效与速度推向新高度。
2025-06-13 11:43
diac是一种具有并反半导体层组合的双端器件，无论电源极性如何，都可以通过两个方向触发器件。
2023-06-03 11:18
DS1045为4位双通道可编程延迟线，支持两个可编程输出，从 单输入。该CMOS器件能够以二进制步进产生输出，最大延迟 高达 84 ns。选择四个标准器件之一将允许2、
2023-02-21 09:46
在当今快速发展的电力电子技术领域，功率半导体器件的性能优化至关重要。双脉冲测试（DPT）作为一种关键的测试方法，为功率器件的动态行为评估提供了精准的手段。本文将深入解析双
2025-06-05 11:37
，具有50 Ω端接分流引脚；ADG936-R为反射式双SPDT开关。这些器件经过专门设计，在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。二者均具有片内CMOS控制逻辑，无需外部控制电路。控制输入与
2025-03-06 11:20
