CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
利用Lewis-Riesenfeld不变量理论和与不变量有关的幺正变换方法,研究了双阱结构含时量子输运的微扰论3 获得了双阱内含时薛定谔方程的精确解的完备集，在此基础上
2008-11-27 13:04
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p阱和N阱，如图
2022-11-14 09:32
本文将对双极性器件与CMOS器件进行比较，帮助用户判断每款器件的适用之处。文中将以高性能超声波设备为例，探讨如何平衡噪声
2011-12-29 11:34
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
PCB离子阱质量分析器采用线形离子阱结构，其电极使用PCB加工而成，其截面被设计成矩形。采用这种设计的原因在于：其一，线性离子阱具有比传统三维离子阱更
2010-09-20 02:54
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、
2020-09-25 10:44
关于CMOS 和TTL器件的区别CMOS：互补金属氧化物半导体逻辑器件TTL：晶体管-晶体管逻辑系列器件TTL输出级有两
2012-04-25 11:17
CMOS器件空闲管脚怎么处理？
2021-11-05 08:40
