### 产品简介BSO200N03-VB是一款双管N沟道MOSFET，封装形式为SOP8。该MOSFET支持30V的漏极-源极耐压和±20V的栅极-源极耐压，具有1.7V的门槛电压。采用Trench
2025-01-09 14:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSL315P-VB是一款双管P沟道MOSFET，封装形式为SOT23-6。该MOSFET支持-20V的漏极-源极耐压和±12V的栅极-源极耐压，具有-0.6V的门槛电压。采用
2025-01-09 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSD235C-VB是一款双管N+P沟道MOSFET，封装形式为SC70-6。该MOSFET支持±20V的漏极-源极耐压，适用于双极性电源设计。具有1.0V的N沟道门槛电压
2025-01-09 11:05 微碧半导体VBsemi 企业号
