大功率领域，能显著提高效率，降低装置体积。在这些应用领域中，对功率器件的可靠性要求很高，为此，针对自主研制的3300V SiC MOSFET 开展栅氧可靠性研究。首先，按照常规的评估技术对其进行了高温栅
2024-01-04 09:41
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例
2018-09-23 11:17
绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。
2019-02-06 18:22
电气隔离栅是一种用于保护电气设备和人员安全的装置，它能够防止电流的意外流动，从而避免触电事故的发生。 电气隔离栅的作用 防止触电 ：电气隔离栅能够防止人员接触到带电部件，从而降低触电的风险。 保护
2024-09-29 18:07
MOS结构加上一对背靠背的PN结，就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的，此时由于PN结的反向截止效果，源漏之间不会导通。当外加栅压使半导体表面反型时，源漏之间就有了
2023-11-30 15:54
借助 n 沟道和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松地实现单刀双掷 （SPDT） 开关，以隔离电路的一部分，并在电路其余部分关闭时从次级电源为其供电，以便待机工作 （图1 ）。通过使用互补对，您可
2023-05-31 17:49
）电流产生的功耗。 从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 栅极电容。MOSFET
2024-10-29 10:45
为了有效抑制短沟道效应，提高栅控能力，随着MOS结构的尺寸不断降低，就需要相对应的提高栅电极电容。提高电容的一个办法是通过降低栅氧化层的厚度来达到这一目的。栅氧厚度必须
2025-05-26 10:02
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种功率半导体，具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻（低饱和电压）特性。
2024-02-27 16:08
安全栅（safety barrier），接在本质安全电路和非本质安全电路之间。将供给本质安全电路的电压电流限制在一定安全范围内的装置。
2021-01-21 14:43
