康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压：一般测量方法电源单元等产品中使用的功率开关器件大多都配有用来冷却的散热器，在测量器件引脚间的电压时，通常是无法将电压
2022-09-20 08:00
，BIPOLAR适用于中速开关，MOSFET则适用于高频领域。IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，通过这两者的复合化，既是使用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是兼顾低饱和
2019-05-06 05:00
，BIPOLAR适用于中速开关，MOSFET则适用于高频领域。IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，通过这两者的复合化，既是使用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是兼顾低饱和
2019-03-27 06:20
氧化层？如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解，揭开这一技术领域的神秘面纱。
2025-01-04 12:37
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-12-10 21:37
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-01-06 22:55
multisim里面有双栅场效应管吗？？？
2012-12-21 17:50
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型
2021-09-17 07:19
绝缘栅双级晶体管IGBT
2012-08-20 09:46
