沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅
2023-04-27 11:55
继上一篇超级结MOSFET技术简介后，我们这次介绍下屏蔽栅MOSFET。
2024-12-27 14:52
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-氧化物
2024-03-27 15:33
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍
2023-06-25 17:19
IGBT）是一种半导体器件，它将MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点集于一身，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流密度等优点。IGB
2024-01-03 15:14
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的资料大全 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和
2010-03-05 11:46
优点和缺点，并对其性能进行分析。 一、共源共栅Cascode 共源共栅Cascode电路是一个双级放大电路，由一个源连双极晶体管（
2023-09-18 15:08
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是什么意思 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(
2010-03-05 11:42
MOSFET的栅氧可靠性问题一直是制约其广泛应用的关键因素之一。栅氧层的可靠性直接影响到器件的长期稳定性和使用寿命，因此，如何有效验证SiC MOSFET
2025-03-24 17:43
