DC2418A-B，演示电路旨在演示具有双向断路器的LTC4368-2 100V欠压（UV），过压（OV）和反向保护控制器的性能。 LTC4368-2可保护电路免受双向过流和输入电压的影响，输入电压
2019-02-19 07:01
中港扬盛变频电源的IGBT，提供反向阻断能力。此功能需要在各个应用，如在电流源逆变器，谐振电路，的双向switchesor矩阵转换。当集电极鼓施加一个反向电压时,就会受
2021-11-16 08:27
DC2418A-A，演示电路旨在演示具有双向断路器的LTC4368-1 100V欠压（UV），过压（OV）和反向保护控制器的性能。 LTC4368-1可保护电路免受双向过流和输入电压的影响，输入电压
2019-02-18 09:45
本文讨论如何设计基于 SiC-MOSFET 的 6.6kW 双向电动汽车车载充电器。介绍随着世界转向更清洁的燃料替代品，电动汽车运输领域正在经历快速增长。此外，配备足够电池容量的电动汽车可用于支持
2023-02-27 09:44
的权衡。对于低输出电压下的轻载，本设计中采用了组合的PFM和相移控制。 功率MOSFET的选择CCM图腾柱PFC和双向CLLC谐振转换器都需要快速反向恢复体二极管，以提高效率和可靠性。对于图腾柱PFC
2019-10-25 10:02
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08
时，客户工程师发现：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V时，Q1的导通压降只有0.06V，那么，这是不是表明：功率MOSFET在反向工作的时候，VTH比正向导通的时候低？是不是二极管的分流
2017-04-06 14:57
了门极信号；如同直通电流一样，它会影响到该开关电源。这会产生很大的反向恢复dv/dt，有时会击穿MOSFET Q2。这样就会导致MOSFET失效，并且当采用的
2019-09-17 09:05
肖特基二极管，那么功率损耗大约为3.5W。除了功率耗散，电路中的可用电压为电源电压减去二极管压降。在工业和汽车应用中，大多数前端接口要求反向极性保护，而这一保护功能通常由二极管或MOSFET提供。由于
2018-09-04 14:59
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32
