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光刻技术通过光刻胶将图案成功转移到硅片上，但是在相关制程结束后就需要完全除去光刻胶，那么这个时候去胶液就发挥了作用，那么去胶液都有哪些种类？去胶原理是什么？

2023-09-06 10:25

目前,在国内外半导体器件制造工艺中,用等离子去胶工艺代替常规化学溶剂去胶及高温氧气去胶已获得显著效果,越来越引起半导体器件制造者的重视。由于该工艺操作简便、成本低、可节约大量的化学试剂、对器件参数

2022-08-15 15:32

半导体湿法去胶是一种通过化学溶解与物理辅助相结合的技术，用于高效、可控地去除晶圆表面的光刻胶及其他工艺残留物。以下是其核心原理及关键机制的详细说明：化学溶解作用溶剂选择与反应机制有机溶剂体系：针对

2025-08-12 11:02 芯矽科技 企业号

湿法去胶工艺中出现化学残留的原因复杂多样，涉及化学反应、工艺参数、设备性能及材料特性等多方面因素。以下是具体分析：化学反应不完全或副产物生成溶剂选择不当：若使用的化学试剂与光刻胶成分不匹配（如碱性

2025-09-23 11:10 芯矽科技 企业号

1. 一种晶圆撕金去胶清洗装置,其特征在于：包括浸泡单元（1）、对中盒站单元（5）、去 胶单元（3）、清洗单元（4）、机器人（2）和工作台（23）,机器人（2）设置于工作台（23）中部, 所述浸泡

2020-12-31 09:35

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5D/E3/pYYBAGLzeJqACHu_AADUnoPLqFQ271.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5D/48/poYBAGLzeJqAFUHbAAFs_rzLLKU766.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5D/48/poYBAGLzeJqAFUHbAAFs_rzLLKU766.png //figure

2022-08-10 17:21

在半导体制造过程中，若湿法去胶第一次未能完全去除干净，可能引发一系列连锁反应，对后续工艺和产品质量造成显著影响。以下是具体后果及分析：残留物导致后续工艺缺陷薄膜沉积异常：未清除的光刻胶残留会作为异物

2025-09-16 13:42 芯矽科技 企业号

所需晶圆加工设备研发与销售为主的技术驱动型半导体设备公司，主要产品包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备等，主要应用于逻辑芯片、闪存芯片、DRAM芯片三大主流应用领域。 截至2021年6月底，屹唐半导体产品全球累计装机数量已超过3800台

2023-02-25 01:09

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切

2019-03-27 16:58

LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P

2016-08-05 17:45