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湿法去胶工艺中出现化学残留的原因复杂多样，涉及化学反应、工艺参数、设备性能及材料特性等多方面因素。以下是具体分析：化学反应不完全或副产物生成溶剂选择不当：若使用的化学试剂与光刻胶成分不匹配（如碱性

2025-09-23 11:10 芯矽科技 企业号

在半导体制造过程中，若湿法去胶第一次未能完全去除干净，可能引发一系列连锁反应，对后续工艺和产品质量造成显著影响。以下是具体后果及分析：残留物导致后续工艺缺陷薄膜沉积异常：未清除的光刻胶残留会作为异物

2025-09-16 13:42 芯矽科技 企业号

LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P

2016-08-05 17:45

光阻去除工艺（即去胶工艺）是半导体制造中的关键步骤，旨在清除曝光后的光刻胶而不损伤底层材料。以下是主流的技术方案及其特点：一、湿法去胶技术1.有机溶剂溶解法原理：利用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮

2025-07-30 13:25 芯矽科技 企业号

光刻胶的主要功能是在整个区域进行化学或机械处理工艺时，保护光刻胶下的衬底部分。所以当以上工艺结束之后，光刻胶应全部去除，这一步骤简称去胶。只有那些高温稳定的光刻胶，例如光敏感聚酰亚胺，可以

2019-01-02 16:32