IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（C）和发射极（E）之间的电压
2024-09-19 14:51
在设计阶段进行电源完整性仿真分析，包括电源DC压降仿真、AC频域仿真、时域瞬态噪声仿真、电热仿真，以规避PCB设计中的电源风险。 本文介绍了采用芯和半导体HermesPSI软件进行电源DC压
2022-02-28 10:50
本文将聚焦“低压降”的含义，并介绍安森美半导体低压降和极低压降值的LDO产品和方案。您的应用需要低压降的LDO吗？我们将讲解压降的含义，如何测量以及具有标准
2020-11-23 09:27
本文中基于 QC/T 29106-2014 标准，提出了新的耐久特性测试和触点压降测试方法，并针对这2种测试方法进行试验验证。以下为正文。
2023-09-14 10:00
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——一种具有压降速率检测的低功耗压力变送器。该专利由特福隆（上海）科技有限公司申请，并于2016年10月5日获得授权公告。
2018-11-09 09:27
芯片压降的管理是确保集成电路（IC）稳定运行的关键，涉及单板（PCB）、封装、芯片内部等多个层面。具体的推荐指标数据因应用领域、工艺节点、芯片类型等不同而有所差异，但以下是一些通用的指导原则和参考指标。
2024-10-22 15:40
硅二极管的正向压降是指在二极管导通时，其两端的电压差。这个值对于硅二极管来说通常在0.6V到0.7V之间，但这个值会受到温度、电流和制造工艺等因素的影响。 半导体物理基础 要理解硅二极管的正向压
2024-10-14 15:48
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。
2018-08-31 14:40
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
2018-08-31 09:51
LT®6110是一款具有一个电流模式输出的精准型高端电流检测器件，专为控制一个可调电源或电压调节器的输出电压而设计。
2014-02-10 10:44
