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常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等，ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率

2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号

，提高 整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基 整流二极管。 DK5V100R15S采用SM-7封装(兼容TO-277封 装)。 主要特点&

2024-01-27 17:02 腾震粤电子 企业号

与外部时钟信号同步来设置开关频率。在电阻编程模式下，开关频率可从50KHz编程到1MHz,也可以与300kHz至1MHz之间的外部时钟同步。IU5708D包括一个7

2023-05-10 21:25 深圳上大科技 企业号

  一、软硬件描述西门子PLC S7-1215钡铼BL102网关mosquitto MQTT服务器（腾讯云上搭建）可以上网的路由器一套二、需要使用的软件。西门子Portal

2022-04-11 18:15 钡铼技术 企业号

，提高 整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基 整流二极管。 DK5V100R25S采用SM-7封装(兼容TO-277封 装)。 主要特点&

2024-01-27 17:05 腾震粤电子 企业号

S32K3 系列是 NXP 推出的面向汽车电子和工业应用的微控制器，基于 ARMCortex-M7 内核，支持单核、双核和锁步内核配置。S32K3 系列具有内核、内存和外设数量方面的可扩展性，符合

2024-12-12 10:17 大大通 企业号

该方案是以 NXP S32K311 芯片为主控制器的评估板方案，S32K311 是基于 ARM Cortex-M7 的嵌入式应用微控制器，有 64 KB 的 Dflash、1 MB 的 Pflash

2024-02-18 11:22 大大通 企业号

利用源表SMU可以灵活的进行电阻测量       I-V测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应。根据待测器件(DUT

2024-06-06 15:43 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号

1，产品应用方案：LED汽车灯  H7方案BOM表 2，产品应用方案：LED汽车灯  H7方案线路图​  3，产品描述AP5101B 是一款高压线

2023-06-21 17:20 深圳世微半导体有限公司 企业号

ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动

2023-03-29 09:24 深圳市骊微电子科技 企业号