CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p
2022-11-14 09:32
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管
2024-11-04 15:31
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成
2012-05-21 10:06
本文主要介绍CMOS集成电路基本制造工艺，特别聚焦于0.18μm工艺节点及其前后的变化，分述如下：前段工序（FrontEnd）；0.18μmCMOS前段工序详解；0.1
2025-03-20 14:12
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32
Doping Well）技术作为一种精密的掺杂方法，对于实现高性能和高密度的集成电路至关重要。倒掺杂阱工艺通过精确控制掺杂深度和横向扩散，有效改善了闩锁效应和DIBL（drain induced barrier l
2025-01-03 14:01
Bi-CMOS工艺将双极型器件（Bipolar）与CMOS工艺结合，旨在融合两者的优势。CMOS具有低功耗、高噪声容限、
2025-03-21 14:21
