CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管
2024-11-04 15:31
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成
2017-11-25 11:07
由于TTL的低电平输入电流1.6mA，而CMOS的低电平输出电流只有1.5mA，因而一般都得加一个接口电路。这里介绍一种采用单电源的接口电路。在附图1中，门II起接口电路的作用，是CMOS
2019-08-07 15:40
由于TTL的低电平输入电流1.6mA，而CMOS的低电平输出电流只有1.5mA，因而一般都得加一个接口电路。这里介绍一种采用单电源的接口电路。在附图1中，门II起接口电路的作用，是CMOS
2019-08-11 11:37
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
成功开发超厚介质膜的淀积和刻蚀工艺、超厚金属铜的电镀和化学机械研磨等工艺，采用与 CMOS 完全兼容的铜互连单大马士革工艺
2018-05-19 10:39
因为CMOS工艺易于集成化，并且相对较低的电路功耗，所以。个人电脑、互联网络和数字革命，强烈推动了对CMOS集成电路芯片
2023-07-24 17:05
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型，导致半导体器件结构的日益复杂化。例如，在3D NAND内存中，容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现，在保持平面缩放比例恒定的情况下，这带来了更高
2023-01-06 15:27
