CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32
你知道CMOS图像传感器是如何变成现在这般的吗？它有哪些分类？本文就带你一起了解一下CMOS图像传感器的进化历程，以及堆栈式与单芯片技术的优缺点与适用场景。
2024-04-09 12:17
PCB离子阱质量分析器采用线形离子阱结构，其电极使用PCB加工而成，其截面被设计成矩形。采用这种设计的原因在于：其一，线性离子阱具有比传统三维离子阱更
2010-09-20 02:54
量子阱激光器是有源层非常薄，而产生量子尺寸效应的异质结半导体激光器。根据有源区内阱的数目可分为单量子阱和多量子阱激光器。
2019-12-16 11:11
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
精密电流阱电路图
2009-04-02 15:21
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p阱和N阱，如图所示。在进行
2022-11-14 09:32
本文首先粗略地介绍了什么是背照式CMOS，然后分析了背照式传感器的优点和缺点，最后以图片的形式表现了传统式CMOS和背照
2019-08-01 11:05
