单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法（CZ法）生长单晶硅晶片，其特征为
2017-09-28 16:35
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝固时
2011-06-23 10:43
电子发烧友网站提供《单晶硅太阳电池的温度和光强特性.pdf》资料免费下载
2023-11-02 11:16
QGM600-8XB 单晶硅棒切方滚磨机床是在硅单晶棒数控滚磨机上开发而成，单晶棒数控滚磨机床是我公司独立开发研制的。该产品全部替代了日本滚磨机床，国内很多企业需单晶硅
2009-12-20 09:25
根据单晶硅各向异性腐蚀的特点，以晶格内部原子键密度为主要因素，温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子，建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在+,--开发
2009-07-02 14:12
156单晶硅不同方阻的功率对比 1、方阻越大，扩散方阻的偏差就越大，特别是在温区四和五的位置(炉尾)比较明显。 2、平均功率最高的为方阻50-55，主要体现在50-55的方阻制成的电池片开
2012-05-11 14:36
对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火，采用Hall 电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照
2017-10-17 15:43
电子发烧友为你提供区分单晶硅和多晶硅电池板的方法免费下载
2020-11-24 18:30
加工流程; 单晶生长一切断一外径滚磨一平边或V 型槽处理一切片一倒角一研磨一腐蚀一抛光一清洗一包装 切断： 目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度
2017-10-20 14:38
本文档的主要内容详细介绍的是半导体材料与集成电路基础教程之单晶硅生长及硅片制备技术。
2018-11-19 08:00
