深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。CJAC70P06 由于电子元器件价格因市场浮动，网站展示价格仅为参考价，不能作为最后成交价格，具体价格请与业务重新确认
2023-05-23 09:54 深圳市港禾科技有限公司 企业号
型号：HM70P04-VB丝印：VBM2406品牌：VBsemi参数：- P沟道- 额定电压：-40V- 最大电流：-80A- 开态电阻 (RDS(ON))：4mΩ @ 10V, 4.8m
2023-12-15 10:08 微碧半导体VBsemi 企业号
特点NCE40P70K采用先进的沟槽技术设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS（ON）。这个该器件非常适合高电流负载应用。 描述●VDS=-40V，ID=-70ARDS（ON）
2025-02-20 10:39 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
ME70P04-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管型号，封装为TO252。以下是该型号的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的示例说明：### 产品简介：ME70P04-VB是一款高性能
2024-06-11 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP70N03P-VB 产品简介AP70N03P-VB是一款高性能、低导通电阻的单N通道MOSFET，采用TO220封装。它采用先进的Trench技术制造，适用于要求高功率和高效能的应用场
2024-12-21 13:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP70L02P-VB 产品简介AP70L02P-VB 是一款单 N-沟槽型 MOSFET，采用 TO220 封装。它具有低导通电阻、高电流承载能力和稳定的性能特征，适用于需要
2024-12-21 13:52 微碧半导体VBsemi 企业号
ME70P04-G-VB 是 VBsemi 公司生产的 P-Channel 沟道功率场效应晶体管，具有以下参数：- 最大漏极-源极电压：-40V- 最大漏极电流：-65A- 漏极-源极导通电
2024-06-11 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号
09N70P-H-VB是一款单N沟道MOSFET，具有以下主要参数：- VDS（漏极-源极电压）：700V- VGS（门极-源极电压）：30V（±）- Vth（门极阈值电压）：3.5V- RDS
2024-07-04 14:44 微碧半导体VBsemi 企业号
天德钰JD6601P，集成432基准和CC恒流，适用于 充电器，车载充电器等USB供电设备。支持支持华为SCP,FCP,AFC,QC3.0/2.0，BC1.2 APLLE2.4A 充电标准协议。JD6601P采用 迷
2022-05-18 14:22 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
### AM70N15-40P-VB 产品简介AM70N15-40P-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于各种高功率应用。该器件设计采用了先进的Trench技术，确保
2024-12-02 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号
