耐受能力和低导通电阻,适合要求高性能和可靠性的功率开关和电源管理应用。### 详细参数说明- **封装形式**:TO220- **配置**:单 P 沟道- **漏源
2024-12-03 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### 二、详细参数说明- **型号**: 7D5N60P-VB- **封装**: TO220- **配置**: 单N沟道- **最大漏源电压 (VDS)**:
2024-11-20 16:56 微碧半导体VBsemi 企业号
,适合要求高性能和可靠性的电源开关应用。### 详细参数说明- **封装类型**: TO251- **配置**: 单P沟道- **漏源电压 (VDS)**: -30
2024-11-28 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号
的能源转换解决方案。### 详细参数说明- **封装类型**:TO220- **配置**:单通道N沟道- **漏源电压 (VDS)**:30V- **栅源电压 (VG
2024-12-20 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
ZX60-R5183P+:高性能RF增益块放大器的理想选择在现代射频(RF)应用中,RF增益块放大器是确保信号强度和质量的关键组件。Mini-Circuits推出的ZX60-R5183P+是一款覆盖
2024-11-07 10:06 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
合。### 2. 详细参数说明- **包装类型:** TO220- **配置:** 单-N-沟道- **耐压(VDS):** 30V- **栅极-源极电压(VGS):**
2024-12-20 17:12 微碧半导体VBsemi 企业号
ZX60-06183P+:低噪声RF放大器的理想选择在高频通信和射频应用中,低噪声放大器(LNA)是确保信号质量和系统性能的关键组件。Mini-Circuits推出的ZX60-06183P+是一款
2024-11-07 10:03 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品概述:2D0N60P-VB2D0N60P-VB是一款单N沟道MOSFET,采用平面技术,具有高耐压和适中的电流特性。它采用TO220封装,适用于中功率应用场景。这款MOSFET具有适中
2024-07-11 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准上海伯东销售维修德国普发涡轮分子泵 Pfeiffer HiPace 60P 抽速可达
2023-05-25 13:46 伯东企业(上海)有限公司 企业号