型号:SUD50P08-25L-E3-VB丝印:VBE2102N品牌:VBsemi参数说明:- P沟道- 额定电压:-100V- 最大电流:-50A- 静态导通电阻(RDS(ON)):22m
2023-12-22 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管,具有以下参数 - 最大耐压 -40V- 最大漏极电流 -65A- 导通时的电阻(RDS(ON)) 10mΩ@10V, 13m
2023-10-27 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选:的技术参数 NJ50-FP-E-P1通用规格开关功能常开 (NO)输出类型NPN额定工作距离50 mm安装非齐平输出极性DC确保操作距离0 ... 40,5 mm衰减系数
2022-11-09 13:23 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
### 产品简介:SUD50P04-15-E3-VB是VBsemi品牌生产的P沟道场效应管,具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流承受能力。该器件专为满足高性能功率电子应用需求而设
2024-06-17 14:09 微碧半导体VBsemi 企业号
**型号:** P36P04S-E-VB **丝印:** VBE2412 **品牌:** VBsemi **产品简介:** P36P04S-E
2024-06-12 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:50P06-VB丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数:- P沟道 MOSFET- 额定电压:-60V- 最大持续电流:-50A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:IPD50P04P4-13-VB丝印:VBE2412品牌:VBsemi参数说明:- 极性:P沟道- 额定电压:-40V- 最大连续漏极电流:-65A- 静态漏极-源极电阻(RDS
2023-12-14 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
50P04 (VBE2412)参数说明:P沟道,-40V,-65A,导通电阻10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.6V,封装:TO252。应用简介:
2023-11-30 16:48 微碧半导体VBsemi 企业号