### MTD1P50E-VB 产品简介MTD1P50E-VB 是一款高性能单P通道功率 MOSFET，采用 **TO252 封装**，专为高电压应用设计。该器件的漏极-源极电压 (**VDS
2025-10-13 10:09 微碧半导体VBsemi 企业号
华为ETP48200-C5E1嵌入式直流电源系统，实现交流输入转换为稳定的48V直流输出，支持50A整流模块，最大输出功率200A。各功能单元采用标准化尺寸设计，支持热插拔，系统高度5U，支持标准
2023-02-14 10:12 北京鑫隆源科技有限公司 企业号
型号：SUD50P08-25L-E3-VB丝印：VBE2102N品牌：VBsemi参数说明：- P沟道- 额定电压：-100V- 最大电流：-50A- 静态导通电阻(RDS(ON))：22m
2023-12-22 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选：的技术参数 NJ50-FP-E-P1通用规格开关功能常开 (NO)输出类型NPN额定工作距离50 mm安装非齐平输出极性DC确保操作距离0 ... 40,5 mm衰减系数
2022-11-09 13:23 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: AM50P10-117P-VB- **封装**: TO220- **配置**: 单 P-Channel- **最
2024-12-02 13:53 微碧半导体VBsemi 企业号
SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数 - 最大耐压 -40V- 最大漏极电流 -65A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 10mΩ@10V, 13m
2023-10-27 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
**NP50P04SDG-E1-AY-VB**是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应管，丝印标识为VBE2412。该器件采用TO252封装，具有-40V的漏极-源极电压承受能力，-65A
2024-06-12 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号
），适用于需要高性能负载开关和功率控制的应用。### 50P06SDG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 P 沟道- **漏极
2024-11-14 11:03 微碧半导体VBsemi 企业号
, 25mΩ @ 4.5V- 门源极电压 (Vgs)：最大±20V- 阈值电压 (Vth)：-1.76V封装：TO252详细参数说明：50P06-VB是一款P沟道M
2023-12-20 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
安捷伦E5092A Keysight E5092A 可配置的多端口测试仪通过为您的目标专门设计的 Mictor 连接器，提供与目标的可靠连接。特点频率范围：50
2025-09-11 11:22 深圳市国雄电子科技有限公司 企业号
