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型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P08-25L-E3</b>-VB 品牌：微碧

型号：SUD50P08-25L-E3-VB丝印：VBE2102N品牌：VBsemi参数说明：- P沟道- 额定电压：-100V- 最大电流：-50A- 静态导通电阻(RDS(ON))：22m

2023-12-22 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P04-09L-E3</b>-VB 品牌：微碧

SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数 - 最大耐压 -40V- 最大漏极电流 -65A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 10mΩ@10V, 13m

2023-10-27 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：UHB<b class='flag-s-7'>50SC12E1BC3</b>N 品牌：

UHB50SC12E1BC3N：高效能1200V 50A SiC半桥模块的应用与优势随着电动汽车（EV）、可再生能源和工业自动化的快速发展，市场对高效能电力电子组件的需求日益增加。Qorvo推出

2024-11-10 08:50 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P04-15-E3</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介：SUD50P04-15-E3-VB是VBsemi品牌生产的P沟道场效应管，具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流承受能力。该器件专为满足高性能功率电子应用需求而设

2024-06-17 14:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APTM<b class='flag-s-7'>50H14FT3</b>G 品牌：

APTM50H14FT3G型号简介      APTM50H14FT3G是Microchip推出的一款功率模块，这款模块以其卓越的性能和可靠的品质，赢得了众多

2024-11-11 17:38 立年电子科技 企业号

型号：NJ<b class='flag-s-7'>50-FP-E-P</b>1 品牌：

参数表节选：的技术参数  NJ50-FP-E-P1通用规格开关功能常开 (NO)输出类型NPN额定工作距离50 mm安装非齐平输出极性DC确保操作距离0 ... 40,5 mm衰减系数

2022-11-09 13:23 上海冠宁科技发展有限公司 企业号

型号：ETP48200-C5<b class='flag-s-7'>E</b>1 品牌：

华为ETP48200-C5E1嵌入式直流电源系统，实现交流输入转换为稳定的48V直流输出，支持50A整流模块，最大输出功率200A。各功能单元采用标准化尺寸设计，支持热插拔，系统高度5U，支持标准

2023-02-14 10:12 北京鑫隆源科技有限公司 企业号

型号：SQD<b class='flag-s-7'>50P06-15L-GE3</b>-VB 品牌：微碧

型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻 20mΩ @10V, 25m

2023-11-02 09:28 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>E3P</b>303-VB 品牌：微碧

型号: E3P303-VB  丝印: VBA4338  品牌: VBsemi  参数:- 2个P—Channel沟道- 电压: -30V- 电流: -7A- RDS

2024-03-18 16:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20N<b class='flag-s-7'>50</b>H TO<b class='flag-s-7'>3P</b>-VB 品牌：微碧

### 20N50H TO3P-VB 产品简介20N50H TO3P-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，设计用于要求高电压和高电流的应用。采用了 SJ_M

2024-07-09 15:40 微碧半导体VBsemi 企业号