型号:50P06-VB丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数:- P沟道 MOSFET- 额定电压:-60V- 最大持续电流:-50A- 静态导通电阻 (RDS(O
2023-12-20 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻
2023-11-02 09:28 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:IPD50P04P4-13-VB丝印:VBE2412品牌:VBsemi参数说明:- 极性:P沟道- 额定电压:-40V- 最大连续漏极电流:-65A- 静态漏极-源极电阻(RDS
2023-12-14 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:CMD50P03-VB丝印:VBE2311品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:P沟道- 额定电压:-30V- 最大连续电流:-60A- 静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ @ 10V
2023-12-22 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
天德钰JD6601P,集成432基准和CC恒流,适用于 充电器,车载充电器等USB供电设备。支持支持华为SCP,FCP,AFC,QC3.0/2.0,BC1.2 APLLE2.4A 充电标准协议。JD6601P采用 迷
2022-05-18 14:22 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号