MGV075-11-P55MACOM 的 MGV075-11-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 1.7 至 2.9、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000
2023-04-10 16:36 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
**FQD11P06-VB 详细参数说明:**- **品牌:** VBsemi- **型号:** FQD11P06-VB- **丝印:** VBE2610N- **封装:** TO252- **类型
2024-02-20 10:13 微碧半导体VBsemi 企业号
BLS7G3135L-350P,11:高效LDMOS射频功率晶体管,优化高频功率放大应用随着射频通信和工业应用的不断发展,对高功率、高效率射频器件的需求日益增加。BLS7G3135L-350P,
2024-10-09 10:55 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号:FQU11P06-VB丝印:VBFB2610N品牌:VBsemi参数说明:- P沟道- 额定电压:-60V- 最大电流:-25A- 静态导通电阻(RDS(ON)):66mΩ@10V, 80m
2023-12-21 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
MACOM 的 MGV075-11-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 1.7 至 2.9、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000 的变容二极管。标签:表面
2022-09-20 10:03 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
**详细参数说明:**- 产品型号: FQD11P06TM-VB- 丝印: VBE2610N- 品牌: VBsemi- 封装: TO252- 沟道类型: P—Channel- 额定电压: -60V-
2024-02-19 13:35 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:50P06-VB丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数:- P沟道 MOSFET- 额定电压:-60V- 最大持续电流:-50A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号