电压下提供优异的导通特性,适合需要高效能量管理和可靠性能的电子电路设计。### 二、详细的参数说明- **型号**:AP40P03GP-VB- **封装**:TO
2024-12-18 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
承载能力,适合要求高效能和可靠性的电源管理和开关控制应用。### 详细参数说明- **封装类型**: TO220- **配置**: 单P沟道- **漏源电压 (VD
2024-11-29 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:AM40N20-180P-VB**AM40N20-180P-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。该器件封装为 TO220,具有高电压耐受能力
2024-11-29 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号
便捷的安装和散热。### 详细参数说明- **通道类型:** P—Channel沟道- **最大栅极—源极电压 (VDS(max)):** -40V- **最大漏极
2024-06-14 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号
,适用于需要高效能量转换和电流控制的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: AM40P03-20D-VB- **封装类型**: TO252- **配置**:
2024-11-29 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### AM70N15-40P-VB 产品简介AM70N15-40P-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用TO220封装,适用于各种高功率应用。该器件设计采用了先进的Trench技术,确保
2024-12-02 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号
功率管理和开关电路应用,特别是需要高效率和大电流处理能力的电子系统。### AM40P02-20D-T1-PF-VB 详细参数说明- **封装**:TO252-
2024-11-29 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号
理和稳定性,适合需要高效能和可靠性的电子设备设计。### 详细规格- **型号:** AP40P03GJ-VB- **封装:** TO251- **配置:** 单 N-
2024-12-18 16:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详述:AM40P10-200P-VB**型号:** AM40P10-200P-VB **封装:** TO220 **结构:** 单P沟道 **漏极
2024-11-29 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
(SJ_Multi-EPI),具有较高的漏源极电压和电流能力,适合在高压环境下工作。### 二、详细参数说明- **型号**:20N40H TO3P-VB- **封装*
2024-07-09 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号