### 产品简介AM90N20-40P-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,具备较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻。该器件封装在TO220封装中,适合需要处理较高电压
2024-12-03 15:19 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:IPD90P04P4L-04-VB丝印:VBE2406品牌:VBsemi参数说明:- 类型:P沟道- 额定电压:-40V- 最大电流:-110A- 静态导通电阻(RDS(ON)):4.8m
2023-12-20 11:40 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品型号:** IPD90P04P4-05-VB**丝印:** VBE2406**品牌:** VBsemi**参数:**- 封装:TO252- 沟道类型:P—Channel- 额定电压
2024-02-19 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: AM90P06-08P-VB**封装**: TO220**配置**: 单一P沟道MOSFETAM90P06-08P-VB是一款高性能的单一P
2024-12-03 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AM90P03-02P-VB是一款高性能的单P-Channel MOSFET,采用TO220封装。具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于要求高效能和大电流处理的电源管理和开关
2024-12-03 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### AM90P04-07P-VB 产品简介AM90P04-07P-VB 是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术设计,封装为TO220。该型号具有负漏源极电压(VDS)、低导通电
2024-12-03 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:AM90P15-60P-VB**AM90P15-60P-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术,封装形式为 TO220。它具有负向漏源电压
2024-12-03 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号