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型号：SQD<b class='flag-s-7'>40P10-40</b>L-GE3-VB 品牌：微碧

 型号   SQD40P10-40L-GE3-VB 功能类型   P沟道功率MOSFET 最大电压   -100V 

2023-11-09 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SQD<b class='flag-s-7'>40P10-40</b>L-GE3-VB 品牌：微碧

(± V)；-1.92Vth(V)；TO252详细参数说明：- 型号： SQD40P10-40L-GE3-VB- 功能类型： P沟道功率MOSFET- 最大电压： -1

2023-12-13 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>40P40</b>K-VB 品牌：微碧

型号  NCE40P40K-VB丝印  VBE2412品牌  VBsemi详细参数说明   P沟道 额定电压  

2023-11-09 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>40P40</b>K-VB 品牌：微碧

型号  NCE40P40K-VB丝印  VBE2412品牌  VBsemi详细参数说明   P沟道 额定电压  

2023-11-20 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>40P</b>05Y-VB 品牌：微碧

产品型号: NCE40P05Y-VB丝印: VB2355品牌: VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型: SOT23- 沟道类型: P-Channel- 额定电压: -30V- 最大电流

2024-02-20 09:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>40P</b>03GH-VB 品牌：微碧

型号：AP40P03GH-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：- 极性：P沟道- 额定电压：-30V- 最大连续漏极电流：-40A- 静态漏极-源极电阻

2023-12-14 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：JD6601<b class='flag-s-7'>P</b> 品牌：台湾远翔

天德钰JD6601P，集成432基准和CC恒流，适用于 充电器，车载充电器等USB供电设备。支持支持华为SCP,FCP,AFC,QC3.0/2.0，BC1.2 APLLE2.4A 充电标准协议。JD6601P采用 迷

2022-05-18 14:22 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号

型号：SSD<b class='flag-s-7'>40P</b>04-20D-VB 品牌：微碧

便捷的安装和散热。### 详细参数说明- **通道类型：** P—Channel沟道- **最大栅极—源极电压 (VDS(max)):** -40V- **最大漏极

2024-06-14 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40P10-200P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介详述：AM40P10-200P-VB**型号：** AM40P10-200P-VB  **封装：** TO220  **结构：** 单P沟道  **漏极

2024-11-29 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>40P</b>03GP-VB 品牌：微碧

### 一、40P03GP-VB TO220 产品简介40P03GP-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS），并具有 ±20V

2024-11-08 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号