陕西泰开高压开关制造有限公司GW9-10/630A高压隔离开关使用环境a、海拔高度不超过1000米；b、周围空气温度：上限+40℃，下限一般地区-30℃高寒地区-40℃；c、风压不超过700Pa
2021-04-13 16:58 陕西泰开高压开关制造有限公司 企业号
天德钰JD6601P，集成432基准和CC恒流，适用于 充电器，车载充电器等USB供电设备。支持支持华为SCP,FCP,AFC,QC3.0/2.0，BC1.2 APLLE2.4A 充电标准协议。JD6601P采用 迷
2022-05-18 14:22 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
### 产品简介详述：AM40P10-200P-VB**型号：** AM40P10-200P-VB **封装：** TO220 **结构：** 单P沟道 **漏极
2024-11-29 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、40P03GP-VB TO220 产品简介40P03GP-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS），并具有 ±20V
2024-11-08 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
**型号：** HM40P04K-VB**品牌：** VBsemi**丝印：** VBE2412**封装：** TO252**产品简介：**HM40P04K-VB是一款P沟道场效应管，适用于负载开关
2024-06-01 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 40P03-VB TO220 MOSFET 产品简介40P03-VB 是一款高性能的单 P 沟道场效应管，采用 TO220 封装，适用于各种电子应用中的高效能管理。具有优秀的热性能和可靠性
2024-11-08 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号
特点NCE40P70K采用先进的沟槽技术设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS（ON）。这个该器件非常适合高电流负载应用。 描述●VDS=-40V，ID=-70ARDS（ON）
2025-02-20 10:39 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 一、产品简介AP40P03GP-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO220封装。该器件设计用于负载开关和电源控制应用，具有负电源电压和低导通电阻特性。采用沟槽技术，能够在较低的栅极驱动
2024-12-18 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
